三星将先进的紫外线技术带入DRAM生产

 
三星电子今天宣布将推出业界首个采用尖端的极紫外技术(EUV)设计的DRAM存储模块。
作为全球领先的存储器制造商之一，三星表示，对其第一批10nm级DDR4 DRAM模块产品线的100万个评估单位反应良好，并将很快开始处理向全球分销的订单。
EUV技术使存储模块可以更准确，更快速地制造。它通过减少重复步骤的数量来加快光刻工艺，并促进了复杂芯片图案的生产。这意味着更高的性能精度和更短的开发时间。
与激光技术一样，EUV将芯片设计图放置在硅上，但是使用波长短得多的光，从而可以精确复制微小的设计特征。
这也意味着可以以更低的成本蚀刻出越来越细小的特征。
三星DRAM部门执行副总裁Jung-bae Lee表示：“随着基于EUV的新型DRAM的生产，我们正在展示我们对提供革命性的DRAM解决方案以支持我们的全球IT客户的全部承诺。
三星并不是唯一一家专注于EUV技术的公司。去年，台湾半导体制造公司(TSMC)开始使用EUV技术制造其7nm N7 +芯片。根据公司的测试，与使用氟化氩激光器的光刻技术制造的老式N7芯片相比，这些芯片可容纳多达20%的晶体管密度，而功耗却减少了10%。
英特尔将在20年前开始探索EUV流程。现在，它正在为其新的芯片系列准备生产。去年夏天，英特尔EUV研究员兼总监Britt Turkot表示，由于设计复杂且成本高昂，工程师在设计使用EUV的生产系统时面临挑战。芯片制造公司将需要建造新设施来处理新技术。
消费者最早要等到今年下半年才能看到带有新芯片设计的新产品。三星正在韩国平泽市建立一个新工厂，用于芯片生产，预计将在夏季之后投入运营。
三星将在所有未来的DRAM芯片中使用10nm EUV技术。这将包括用于计算机的基于D1a的16GB DDR5和LPDDR5存储器芯片，预计将在2021年下线。它还包括用于智能手机的LPDDR4X RAM芯片。
三星的李说：“这一重大进步强调了我们将如何通过及时开发高端工艺技术和面向高端存储器市场的下一代存储器产品，继续为全球IT创新做出贡献。”